存储芯片设备国产替代进度条
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根据2026年1月最新数据，
| 指标 | 2024年 | 2025年 | 变化幅度 |
|---|---|---|---|
| 整体设备国产化率 | 25% | 35% | +10pct |
| 刻蚀设备国产化率 | 20-30% | 40-60% | +20pct |
| 薄膜沉积设备国产化率 | 20-30% | 30-50% | +10-20pct |
| 设备类别 | 国产化率 | 代表企业 | 技术突破 |
|---|---|---|---|
去胶设备 |
80%-90% | 屹唐半导体 | 已实现全系列国产替代，性能对标国际一流 |
清洗设备 |
70% | 盛美上海、北方华创 | 成熟制程全面替代，先进制程达30% |
热处理设备 |
30%-40% | 北方华创、屹唐半导体 | 快速热处理(RTP)设备实现国产替代 |
刻蚀设备 |
40%-60% | 中微公司、北方华创 | 介质刻蚀达5nm水平，被台积电、长江存储采用 |
薄膜沉积设备 |
30%-50% | 北方华创、拓荆科技 | PVD/CVD设备覆盖28nm及以上制程 |
CMP抛光设备 |
30%-40% | 华海清科 | 8英寸设备成熟，12英寸设备进入产线验证 |
涂胶显影设备 |
10%-30% | 芯源微 | 8英寸设备成熟，12英寸设备研发中 |
离子注入设备 |
10%-20% | 中科信、万业企业 | 中低能设备实现突破，高能设备仍依赖进口 |
检测测量设备 |
10%-20% | 上海睿励、中科飞测 | 部分检测设备进入产线 |
光刻设备 |
<1% |
上海微电子 | 90nm光刻机量产，28nm浸没式进入最后攻关 |
| 制程节点 | 国产化率 | 现状评估 |
|---|---|---|
成熟制程(≥28nm) |
>80% |
基本实现自主可控 |
先进制程(14nm以下) |
~10% |
国产替代空间广阔 |
- 技术突破：5nm刻蚀机成功进入台积电先进制程产线验证
- 存储领域：3D NAND领域市占率达到35%，针对60:1超高深宽比工艺的Primo UD-RIE已大规模应用于先进存储产线
- 市场表现：2025年前三季度营收同增37.5%，市值超2165亿元[1][5]
- 市场地位：炉管设备在中芯国际28nm产线市场占有率超过60%
- 业务覆盖：刻蚀、薄膜沉积、清洗设备全布局，订单排期已至2027年一季度
- 财务表现：2025年新增订单25-30亿元，最新市值3670多亿元[1][2]
- 核心产品：PECVD设备在长江存储3D NAND产线占比从15%提升至30%，装机量达200台
- 技术进展：14nm逻辑芯片设备实现量产，ALD设备进入市场
- 资本支持：2025年9月大基金三期旗下"国投吉信"向其子公司注资4.5亿元[1][6]
- 市场地位：国内唯一能量产12英寸CMP设备企业，市占率超80%
- 技术能力：兼容5nm制程，长江存储、长鑫存储核心供应商
- 财务表现：毛利率超45%，远超行业平均水平[5]
- 订单突破：2025年12月成功中标1.1亿元光刻机采购项目(SSC800/10型步进扫描式光刻机)
- 技术进度：90nm光刻机量产，28nm浸没式光刻机进入中芯国际等头部代工厂内部测试阶段
- 战略意义：28nm是芯片制造的"黄金节点"，一旦突破将实现绝大多数领域的自主可控[7][8]
| 芯片类型 | 国产化率 | 代表企业 | 技术水平 |
|---|---|---|---|
NAND Flash |
35% | 长江存储 | Xtacking 4.0架构，267层3D NAND量产 |
DRAM |
35% | 长鑫存储 | DDR5(最高8000Mbps)、LPDDR5X(最高10667Mbps) |
成熟制程存储芯片 |
45% |
长鑫、长江 | 工信部2026年目标55% |
| 企业 | 重点项目 | 投资规模 | 进展状态 |
|---|---|---|---|
长鑫存储 |
IPO+三期项目 | 估值1400-1600亿元 | 2025年7月启动IPO辅导 |
长江存储 |
三期项目 | 注册资本207.2亿元 | 2025年9月主体成立 |
产能规划 |
2025年月产能 | 30万片(长鑫) | 同比劲增近50% |
- 核心要求：芯片制造商在新增产能时至少使用50%国产设备
- 执行力度：成熟制程严格执行，先进制程根据供应限制酌情调整
- 政策效果：直接利好本土设备企业，加速国产设备验证与迭代[4]
- 资金规模：超3000亿元，重点支持国产设备研发
- 最新动作：2026年1月宣布向半导体设备领域注资20亿元，重点支持刻蚀机、光刻机核心零部件研发[1][2]
- 采购补贴：工信部发布《半导体设备产业发展指引》，对国产设备采购给予最高15%补贴
- 上海举措：加强算力基础设施布局，鼓励关键技术攻关，对取得重大资质的企业给予高额奖励[8]
| 目标领域 | 具体指标 | 预期时间 |
|---|---|---|
| 成熟制程国产化率 | >90% | 2026年 |
| 28nm光刻机 | 量产突破 | 2026-2027年 |
| 14nm设备国产化率 | >30% | 2027年 |
| 存储芯片国产化率 | 50% | 2027年 |
- 光刻机瓶颈：国产化率不足1%，28nm突破仍需时日
- 先进制程渗透：14nm以下领域渗透率仅约10%
- 专利壁垒：国际巨头构筑的严密技术专利墙
- 资本密集：投资回报周期长，资本成本高于国际同行
[1] 新浪财经 - “AI驱动2025全球半导体市场创历史新高” (https://finance.sina.com.cn/jjxw/2026-01-07/doc-inhfmycz2355486.shtml)
[2] 青岛财经日报 - “国产半导体设备替代率提升35%” (https://finance.sina.com.cn/roll/2026-01-07/doc-inhfnqzm6177401.shtml)
[3] 国金证券 - “存储扩产与自主可控共振，国产替代空间广阔” (https://pic-test-gjmetal-1324067834.cos.ap-shanghai.myqcloud.com/newsv2/c873e2fd094646bba0d9bf9e9293c01b20251219184034.pdf)
[4] 三三半导体 - “中国半导体供应链自主化进展总览(2025年12月)” (https://www.xinsanbanbao.com/20251231/news/n98415.html)
[5] 网易财经 - “国产替代+AI驱动！半导体设备爆发” (https://www.163.com/dy/article/KIRGA6M00556299F.html)
[6] 东方财富 - “佰维存储雅克科技基本面亮点” (https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260115061316406837320)
[7] 国际电子商情 - “上海微电子拿下1.1亿光刻机大单” (https://www.esmchina.com/news/13789.html)
[8] EET-China - “超预期提速！大陆半导体设备国产化率突破35%” (https://www.eet-china.com/mp/a467209.html)
[9] 虎嗅APP - “内存条涨疯了，国产替代如何破局？” (https://www.huxiu.com/article/4823808.html)
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